行業(yè)痛點

半導(dǎo)體制造對潔凈度要求極為嚴苛。隨著制程節(jié)點推進至7nm、5nm甚至3nm，晶圓制造過程中對環(huán)境顆粒、化學(xué)污染物（AMC）、金屬離子及超純水（UPW）中微量雜質(zhì)的敏感度呈指數(shù)級上升。一顆直徑僅0.1μm的顆粒附著在光刻掩模版上，就可能導(dǎo)致整片晶圓上的數(shù)百顆芯片報廢；光刻膠中ppb級別的金屬離子污染會改變光刻膠的感光特性，造成線寬偏移；超純水中ppt級別的硼、鈉等離子在柵氧化層形成過程中會摻雜進入氧化膜，改變閾值電壓，直接導(dǎo)致芯片電性能失效。此外，晶圓廠潔凈室內(nèi)空氣中存在的酸性氣體（HF、HCl、H?SO?）、堿性氣體（NH?）、可凝性有機物（硅氧烷、鄰苯二甲酸酯）及摻雜氣體（硼、磷等），會在晶圓表面形成霧狀殘留或化學(xué)玷污，嚴重影響良品率。

解決方案與應(yīng)用：

潔凈室環(huán)境控制：提供從初效、中效、HEPA、ULPA全系列潔凈室過濾產(chǎn)品，精準(zhǔn)控制晶圓制造、封裝測試車間及光刻區(qū)的空氣潔凈度等級（ISO 3至ISO 6級）。

制程設(shè)備配套過濾：為光刻機、刻蝕機、PVD/CVD設(shè)備及濕法清洗設(shè)備提供機載級過濾單元（HEPA/ULPA），保護核心工藝腔室免受顆粒物污染。

高純化學(xué)品與超純水凈化：采用PTFE折疊濾芯、高純PP濾芯及超濾膜，對光刻膠、顯影液、蝕刻液、CMP漿料及超純水進行終端精濾，將金屬離子析出控制在ppb級別以下。

AMC（氣態(tài)分子污染物）控制：針對先進制程對AMC的嚴苛要求，提供化學(xué)過濾解決方案，有效去除空氣中的酸性氣體、堿性氣體及可凝性有機物。

典型場景：

• 晶圓廠潔凈室（光刻區(qū)、刻蝕區(qū)、薄膜區(qū)）；

• 光刻機物鏡吹掃微環(huán)境；

• 化學(xué)機械拋光（CMP）漿料過濾系統(tǒng)；

• 濕法刻蝕設(shè)備化學(xué)品循環(huán)管路；

• 超純水（UPW）系統(tǒng)終端拋光；

• FOUP（晶圓傳送盒）氣體凈化模塊。